EPROM与EEPROM

EEPROM和EPROM是20世纪70年代发展起来的两种存储元件，它们是非易失性可擦除和可重编程的存储器类型，常用于硬件编程。

什么是EPROM？

EPROM是可擦除可编程只读存储器的缩写，也是一类可编程也可擦除的非易失性存储器设备。EPROM是1971年英特尔公司的多夫·弗罗曼（Dov Frohman）基于对晶体管门连接断裂的故障集成电路的调查而开发的。

EPROM存储单元是大量的浮栅场效应晶体管的集合。数据（每一位）被写在芯片内的单个场效应晶体管上，使用一个编程器在芯片内部创建源漏触点。基于单元地址，一个特定的FET存储数据和电压远高于正常数字电路的工作电压在这种操作中使用。当电压被移除时，电子被困在电极中。由于其极低的导电性，栅极之间的二氧化硅（SiO2）绝缘层可以长时间地保持电荷，因此可以保留10到20年的记忆。

EPROM芯片通过暴露于强紫外线源（如水银蒸气灯）而被擦除。可以使用波长小于300nm的紫外光进行擦除，并在近距离（<3cm）下曝光20-30分钟。为此，EPROM封装是建立在一个熔融石英窗口，使硅芯片暴露在光。因此，EPROM很容易从这个特征熔融石英窗口中识别出来。也可以用X射线进行擦除。

eprom基本上用作大型电路中的静态存储器。它们被广泛用作计算机主板的BIOS芯片。但它们被诸如EEPROM这样更便宜、更小、更快的新技术所取代。

什么是EEPROM？

EEPROM是电子可擦除可编程只读存储器的缩写，在闪存出现之前，它是使用最广泛的存储单元类型。EEPROM是由georgeperlogos于1978年在之前开发的EPROM技术的基础上开发的。英特尔2816是第一个商用的EEPROM芯片。

eeprom也是一个像eprom一样的浮栅mosfet阵列，但是与eprom不同的是，eeprom在栅极之间有一层更薄的绝缘层。因此，门中的电荷可以通过电子方式改变。EEPROM是电子可编程和可擦除的。它们可以被编程、擦除，然后重新编程，而无需从电路中移除。但电路必须设计成能传输特殊的编程信号。

根据数据通信模式，eeprom分为串行和并行接口类型。一般来说，并行总线芯片有一个8位宽的数据总线，允许更广泛的内存使用。相反，串行接口类型的管脚较少；因此，操作必须以串行方式执行。因此，与串行接口类型的EEPROM相比，并行EEPROM的速度更快，被广泛使用。

EEPROM芯片广泛应用于计算机和其他电子设备中，用于存储断电时必须保存的少量数据，并且在重启时需要重新获取这些数据。配置细节和校准表等信息存储在EEPROM中。eeprom也被用作BIOS芯片。flashrom现在是EEPROM的一个变种，由于其容量大、成本低、续航能力强，已经占领了市场。

EEPROM和EPROM有什么区别？

•EPROM必须在紫外光照射下擦除，EEPROM可通过电子方式擦除。

•EPROM封装中有一个石英窗口，可将芯片暴露在紫外线下，EEPROM完全封装在不透明的塑料外壳中。