NANDフラッシュとNORフラッシュの比較

フラッシュメモリは、現代のコンピューティングシステムで最もよく使われている不揮発性半導体メモリのひとつで、モバイル機器やコンシューマ機器に広く使われている。フラッシュ技術の主な形態はNANDフラッシュとNORフラッシュである。フラッシュメモリ技術はEEPROMの拡張であり、NAND/NORはストレージデバイスの構築に使用するゲート構造の略である。

NAND型フラッシュメモリーとは？

フラッシュチップはブロックと呼ばれる消去単位に分割され、データはこの消去ブロックに格納される。nandflashアーキテクチャでは、これらのブロックは順次リンクされています。消去ブロックは8kBから32kBと小さくなり、読み出し、書き込み、消去の速度を向上させることができます。また、NANDデバイスは複雑なシリアル接続インターフェースで接続されており、インターフェースは**ベンダによって異なる場合があります。一般に、8本のピンはデータ情報の転送、制御、取り出しに使用されます。瞬間的に8本のピンがすべて使用され、通常512kBのパルスでデータを転送する。

構造化NANDアーキテクチャは、より小さなブロックサイズのランダムアクセス能力に対する妥協として、高密度リソグラフィを最適化するように設計されています。その結果、NANDフラッシュは体積あたりのコストを下げることができる。理論的には、NANDフラッシュはNORフラッシュの2倍の密度を持つ。

PCカード、フラッシュメモリ、SDカード、MP3プレーヤーなどのメモリとして使用されています。

NORフラッシュとは？

NORフラッシュは、2種類のフラッシュメモリのうち、古いほうのメモリである。NORフラッシュの内部回路構成は、個々のメモリセルが並列に接続されているため、データをランダムにアクセスすることが可能である。このランダムアクセス機能により、NOR型フラッシュは実行する情報を取り出す際の読み出し時間が非常に短い。

NORフラッシュの消去ブロック密度は、NANDアーキテクチャよりも低い。その結果、1巻あたりのコストが高くなる。また、待機時の消費電力は高いが、動作時の消費電力はNANDフラッシュよりも比較的少ない。しかも、書き込み速度、消去速度ともに低い。しかし、NORフラッシュはランダムアクセスアーキテクチャを内蔵しているため、コードの実行性能ははるかに高い。

NORフラッシュメモリは、デジタルカメラのコード記憶装置など、機器組み込み用のコード記憶装置として使用されています。

nandflashとNOR-Flashの違いは何ですか？

-NORフラッシュは、NANDフラッシュよりはるかに古いアーキテクチャです。

-NANDフラッシュは、NORフラッシュに比べ、消去可能なブロック密度が高い。

-NANDフラッシュでは消去ブロックが順次接続されますが、NORフラッシュでは消去ブロックが並列接続されます。

-NANDはシーケンシャルアクセスタイプ、NORはランダムアクセスなし。

-その結果、NORはNANDよりも読み出し速度が速い。

-NORフラッシュはNANDフラッシュに比べ消去速度が非常に遅く、NORは書き込み速度が遅い。

-NANDは10万～100万回の消去サイクルが可能ですが、NORは1万～10万回程度しか持ちません。

-NORフラッシュの方がビット反転の割合が少なく信頼性が高いが、NANDフラッシュはエラー管理のために追加のビットが必要である。

-NANDフラッシュはデータストレージに、NORフラッシュはコードストレージに適しています。

-NANDフラッシュは、NORフラッシュに比べ、体積あたりのコストが低い。

関連記事

1 フラッシュドライブとペンドライブの違い

2 フラッシュメモリーとハードディスクの違い