nand闪存(nand flash)和也不是闪光灯(nor flash)的区别

NAND闪存vs NOR闪存

闪速存储器是现代计算系统中最常用的非易失性半导体存储器之一，广泛应用于移动设备和消费设备中。nandflash和NOR-flash是flash技术的主要形式。Flash memory技术是EEPROM的扩展，NAND/NOR代表用于构建存储设备的门结构。

什么是NAND闪存？

闪存芯片被划分为称为块的擦除段，数据存储在这些擦除块中。在nandflash架构中，这些块是按顺序连接的。擦除块的大小为8kB到32kB，较小，允许提高读、写和擦除速度。另外，NAND设备使用复杂的串行连接接口进行连接，并且接口可能因**商而异。一般来说，八个管脚用于传输、控制和检索数据信息。在一个瞬间，所有8个管脚都被使用，通常以512kB的脉冲传输数据。

结构上的NAND架构是为优化高密度光刻技术而设计的，作为对较小块大小的随机存取能力的折衷。这使得NAND闪存的每卷成本更低。理论上，NAND-flash的密度是NOR-flash的两倍。

nandflash适用于数据存储。PC卡、闪存、SD卡和MP3播放器使用NAND闪存驱动器作为内存。

什么是NOR Flash？

NOR闪存是两种闪存中较早的一种。在NOR-flash的内部电路配置中，各个存储单元是并行连接的；因此，可以随机顺序访问数据。由于这种随机访问能力，在检索要执行的信息时，NOR的读取时间非常短。NOR类型的flash是可靠的，并导致较少的位翻转问题。

NOR-flash中擦除块的密度低于NAND架构。因此，每卷的成本更高。它在待机状态下也会消耗更高级别的能量，但在运行期间，它比NAND flash消耗的能量相对较低。而且，写入速度和擦除速度都很低。但是使用NOR-flash的代码执行要高得多，因为它内置了随机访问体系结构。

NOR闪存用于设备中的代码存储，例如数码相机的代码存储单元和其他嵌入式应用程序。

nandflash和NOR-Flash有什么区别？

•NOR-flash比NAND-flash架构更古老。

•NAND闪存比NOR闪存具有更高的擦除块密度。

•在NAND-flash架构中，擦除块按顺序连接，而在NOR-flash中，这些块是并行连接的。

•NAND的访问类型是顺序的，而NOR没有随机访问。

•因此，NOR的读取速度比NAND快。