PVDとCVDの主な違いは、PVDではコーティング材料が固体状態であるのに対し、CVDでは気体状態であることです。

PVDやCVDは、さまざまな基板に薄膜を形成することができるコーティング技術です。基板コーティングは多くの場合において重要である。コーティングは、基材の機能を向上させたり、基材に新しい機能を導入したり、基材を有害な外力から保護したりすることができ、重要な技術ツールである。この2つの手法はアプローチが似ていますが、PVDとCVDの違いはほとんどないため、状況に応じて使い分けることが可能です。

カタログ

1. 概要と主な違い 2. PVDとは 3. 心血管疾患とは 4. 横並び比較 - PVDとCVDを表形式で 5. まとめ

ピーブイディーカンパニーは何ですか？

PVDとは、物理的気相成長法（Physical Vapour Deposition）のこと。主に蒸発式のコーティング技術である。このプロセスはいくつかのステップで構成されています。ただし、すべての工程を真空状態で行っています。まず、固体の前駆体材料に電子ビームを照射し、その材料の原子を生成する。

図01：PVD装置

次に、これらの原子は、コーティング基材が存在する反応室に入る。そこで、輸送中に原子が他の気体と反応してコーティング材を形成したり、原子そのものがコーティング材になったりすることがある。pvdコーティングは、摩擦を減らす、物質の耐酸化性を向上させる、硬度を高めるなどの目的で使用される。

シーブイディーカンパニーは何ですか？

CVDとは、Chemical Vapour Deposition（化学気相成長法）のこと。気相材料から固体を蒸着し、薄膜を形成する方法である。この方法はPVDとやや似ているが、CVDとは異なる点もある。また、化学気相成長法には、レーザー化学気相成長法、光化学気相成長法、低圧化学気相成長法、有機金属化学気相成長法などの種類がある。

CVDでは、基材に材料をコーティングしています。このコーティングを行うには、ある温度の反応室にコーティング剤を蒸気の形で送り込む必要があります。そこで、ガスは基板と反応したり、分解して基板上に堆積する。そのため、CVD装置には、ガス供給装置、反応室、基板搭載機構、エネルギー供給装置などが必要です。

また、反応は真空中で行われるため、反応ガス以外の気体が存在しない。さらに重要なのは、成膜を決定する基板温度です。そのため、装置内の温度と圧力をコントロールする方法が必要です。

図02：プラズマアシストCVD装置

最後に、余分なガス状廃棄物を除去する方法を備えていることが望ましい。揮発性のあるコーティング剤を選ぶ必要がある。ここでも安定でなければなりません。次に、これを気相に変換して基板に塗布します。SiH4、GeH4などの水素化物、NH3、ハロゲン化物、金属カルボニル、金属アルキル、金属アルコール酸化物などが前駆体の一部である。化学気相成長技術は、コーティング、半導体、複合材料、ナノマシン、光ファイバー、触媒などの調製に使用することができます。

ピーブイディーカンパニーとシーブイディーカンパニーの違い

PVDとCVDはコーティング技術で、PVDはPhysical Vapour Deposition、CVDはChemical Vapour Depositionの略。PVDとCVDの大きな違いは、PVDではコーティング材料が固体状態であるのに対し、CVDではガス状であることだ。PVDとCVDのもう一つの重要な違いとして、PVD技術では原子が動いて基板に堆積するのに対し、CVD技術ではガス分子が基板と反応すると言うことができる。

また、PVDとCVDでは成膜温度にも違いがあります。つまり、PVDの場合は約250℃から450℃の比較的低い温度で成膜されるのに対し、CVDの場合は450℃から1050℃の比較的高い温度で成膜される。

概要 - ピーブイディーカンパニー vs. シーブイディーカンパニー

PVDはPhysical Vapour Deposition、CVDはChemical Vapour Depositionの略です。PVDとCVDの大きな違いは、PVDではコーティング材料が固体であるのに対し、CVDでは気体であることである。

引用

1R、Morent、N. De Geyter、機能性テキスタイルによる性能向上、保護、健康、2012年。"化学気相成長法", ウィキペディア, ウィキメディア財団, 2018年10月5日.こちらから購入できます