pvd公司(pvd)和cvd公司(cvd)的区别

PVD和CVD的主要区别在于，PVD中的涂层材料是固态的，而CVD中的涂层材料是气态的。

PVD和CVD是一种可以在各种基底上沉积薄膜的涂层技术。基底涂层在许多情况下都很重要。涂层可以提高基体的功能性，在基体上引入新的功能性，保护基体免受有害外力等，是重要的技术手段。尽管这两种方法具有相似的方法，但PVD和CVD之间几乎没有区别；因此，它们在不同的情况下都是有用的。

什么是pvd公司(pvd)？

PVD是物理气相沉积。它主要是一种蒸发涂层技术。这个过程包括几个步骤。然而，整个过程都是在真空条件下进行的。首先，用电子束轰击固体前体材料，使其产生该材料的原子。

图01:PVD装置

其次，这些原子然后进入反应室，在那里涂层基底存在。在那里，在运输过程中，原子可以与其他气体反应生成涂层材料，或者原子本身也可以成为涂层材料。最后，它们沉积在基底上形成一层薄薄的涂层。PVD涂层可用于减少摩擦、提高物质的抗氧化性或提高硬度等。

什么是cvd公司(cvd)？

CVD是化学气相沉积。它是一种由气相材料沉积固体并形成薄膜的方法。尽管这种方法有点类似于PVD，但PVD和CVD有一些不同。此外，化学气相沉积有激光化学气相沉积、光化学化学气相沉积、低压化学气相沉积、金属有机化学气相沉积等不同类型。

在CVD中，我们是在衬底材料上涂覆材料。要进行这种涂层，我们需要将涂层材料以蒸汽的形式在一定温度下送入反应室。在那里，气体与基体反应，或者分解并沉积在衬底上。因此，在CVD装置中，需要有气体输送系统、反应室、衬底加载机构和能源供应装置。

此外，反应发生在真空中，以确保除反应气体外没有其他气体。更重要的是，衬底温度是决定沉积的关键；因此，我们需要一种方法来控制仪器内部的温度和压力。

图02：等离子辅助CVD装置

最后，仪器应该有一个方法来清除多余的气体废物。我们需要选择挥发性涂料。同样地，它必须是稳定的；然后我们可以把它转化成气相，然后涂到基底上。氢化物如SiH4、GeH4、NH3、卤化物、金属羰基、金属烷基和金属醇氧化物是其中的一些前体。化学气相沉积技术可用于制备涂料、半导体、复合材料、纳米机械、光纤、催化剂等。