igbt(igbt)和mosfet(mosfet)的區別

雙極電晶體是唯一真正的功率電晶體使用，直到非常有效的MOSFET出現在70年代初。自1947年底問世以來，BJTs的電氣效能得到了極大的提高，目前仍廣泛應用於電子電路中。雙極電晶體具有相對緩慢的關斷特性，並且呈現負溫度繫數，這可能導致二次擊穿。然而，mosfet是電壓控制而不是電流控制的器件。它們具有阻止熱失控的電阻的正溫度繫數，因此不會發生二次擊穿。後來，IGBTs在20世紀80年代末出現。IG...

什麼是mosfet(a mosfet)？

MOSFET是金氧半導體場效應電晶體（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）的簡稱，是一種特殊的場效應電晶體，由於其結構複雜、輸入阻抗高，在超大規模積體電路中得到了廣泛的應用。它是一種控制模擬和數字訊號的四端半導體器件。柵極位於源極和漏極之間，由一層薄薄的金屬氧化物絕緣，防止電流在柵極和溝道之間流動。這項技術現在被用於各種半導體器件中，用來放大微弱訊號。

什麼是igbt(an igbt)？

絕緣柵雙極電晶體（IGBT）是一種集雙極電晶體的載流能力和MOSFET的易控制性於一體的三端半導體器件。它們是電力電子中一種相對較新的器件，通常用作電子開關，應用範圍很廣，從**率到超高功率應用，如開關電源（SMPS）。它的結構與MOSFET幾乎相同，只是在n襯底下增加了一個p襯底。

igbt與mosfet的區別

IGBT和MOSFET的基本原理

IGBT代表絕緣柵雙極電晶體，而MOSFET是金氧半導體場效應電晶體的簡稱。儘管這兩種器件都是電壓控制的半導體器件，在開關電源（SMPS）應用中效果最好，但igbt結合了雙極電晶體的高電流處理能力和mosfet的易控制性。IGBT是結合了BJT和MOSFET優點的電流把關器件，用於電源和電機控制電路。MOSFET是一種特殊型別的場效應電晶體，其外加電壓決定器件的電導率。

IGBT和MOSFET的工作原理

IGBT本質上是一種MOSFET器件，它控制一個雙極結功率電晶體，兩個電晶體都整合在一塊矽上，而MOSFET是最常見的絕緣柵FET，最常見的是由矽的受控氧化製成的。MOSFET的工作原理通常是透過在一個叫做柵極的電極上施加電壓來改變溝道的寬度，柵極位於源極和漏極之間，並且由一層薄薄的氧化矽絕緣。MOSFET有兩種工作方式：耗盡模式和增強模式。

IGBT和MOSFET的輸入阻抗

IGBT是一種壓控雙極器件，具有雙極電晶體的高輸入阻抗和大電流處理能力。與大電流應用中的電流控制裝置相比，它們易於控制。由於柵極和溝道之間有隔離層，MOSFET幾乎不需要輸入電流來控制負載電流，這使得它們在柵極端的電阻更高。該層由氧化矽製成，氧化矽是使用的最佳絕緣體之一。它有效地阻止了除了小洩漏電流外施加的電壓。

抗損傷性

MOSFET更容易受到靜電放電（ESD）的影響，因為MOSFET中MOS技術的高輸入阻抗不允許電荷以更可控的方式消散。額外的氧化矽絕緣體降低了柵極的電容，這使得柵極容易受到非常高的電壓尖峰的影響，不可避免地會損壞內部元件。MOSFET對ESD非常敏感。第三代igbt結合了MOSFET的電壓驅動特性和雙極電晶體的低導通電阻能力，從而使它們對過載和電壓尖峰具有極高的耐受性。

IGBT和MOSFET的應用

MOSFET器件廣泛用於電子器件中的電子訊號的開關和放大，特別是在高噪聲應用中。MOSFET的主要應用是開關電源，而且它們也可以用於D類放大器。它們是最常見的場效應電晶體，可用於模擬和數位電路。另一方面，igbt用於開關電源、感應加熱和牽引電機控制等中大功率和超高功率應用。它是現代電器的重要組成部分，如電動汽車、燈鎮流器和VFD（變頻驅動器）。

igbt與mosfet的比較圖

總結 - igbt的應用(of igbt) vs. mosfet(mosfet)

雖然IGBT和MOSFET都是主要用於放大微弱訊號的壓控半導體器件，但IGBT結合了雙極電晶體的低導通電阻能力和MOSFET的電壓驅動特性。隨著這兩種裝置之間的選擇越來越多，僅僅根據它們的應用程式來選擇最好的裝置變得越來越困難。MOSFET是一種四端半導體器件，而IGBT是一種三端器件，它是雙極電晶體和MOSFET之間的交叉，使它們對靜電放電和過載具有極高的耐受性。