EPROM與EEPROM
EEPROM和EPROM是20世紀70年代發展起來的兩種存儲元件，它們是非易失性可擦除和可重編程的存儲器類型，常用於硬件編程。
什麼是EPROM？
EPROM是可擦除可編程只讀存儲器的縮寫，也是一類可編程也可擦除的非易失性存儲器設備。EPROM是1971年英特爾公司的多夫·弗羅曼（Dov Frohman）基於對晶體管門連接斷裂的故障集成電路的調查而開發的。
EPROM存儲單元是大量的浮柵場效應晶體管的集合。數據（每一位）被寫在芯片內的單個場效應晶體管上，使用一個編程器在芯片內部創建源漏觸點。基於單元地址，一個特定的FET存儲數據和電壓遠高於正常數字電路的工作電壓在這種操作中使用。當電壓被移除時，電子被困在電極中。由於其極低的導電性，柵極之間的二氧化硅（SiO2）絕緣層可以長時間地保持電荷，因此可以保留10到20年的記憶。
EPROM芯片通過暴露於強紫外線源（如水銀蒸氣燈）而被擦除。可以使用波長小於300nm的紫外光進行擦除，並在近距離（<3cm）下曝光20-30分鐘。為此，EPROM封裝是建立在一個熔融石英窗口，使硅芯片暴露在光。因此，EPROM很容易從這個特徵熔融石英窗口中識別出來。也可以用X射線進行擦除。
eprom基本上用作大型電路中的靜態存儲器。它們被廣泛用作計算機主板的BIOS芯片。但它們被諸如EEPROM這樣更便宜、更小、更快的新技術所取代。
什麼是EEPROM？
EEPROM是電子可擦除可編程只讀存儲器的縮寫，在閃存出現之前，它是使用最廣泛的存儲單元類型。EEPROM是由georgeperlogos於1978年在之前開發的EPROM技術的基礎上開發的。英特爾2816是第一個商用的EEPROM芯片。
eeprom也是一個像eprom一樣的浮柵mosfet陣列，但是與eprom不同的是，eeprom在柵極之間有一層更薄的絕緣層。因此，門中的電荷可以通過電子方式改變。EEPROM是電子可編程和可擦除的。它們可以被編程、擦除，然後重新編程，而無需從電路中移除。但電路必須設計成能傳輸特殊的編程信號。
根據數據通信模式，eeprom分為串行和並行接口類型。一般來說，並行總線芯片有一個8位寬的數據總線，允許更廣泛的內存使用。相反，串行接口類型的管腳較少；因此，操作必須以串行方式執行。因此，與串行接口類型的EEPROM相比，並行EEPROM的速度更快，被廣泛使用。
EEPROM芯片廣泛應用於計算機和其他電子設備中，用於存儲斷電時必須保存的少量數據，並且在重啟時需要重新獲取這些數據。配置細節和校準表等信息存儲在EEPROM中。eeprom也被用作BIOS芯片。flashrom現在是EEPROM的一個變種，由於其容量大、成本低、續航能力強，已經佔領了市場。
EEPROM和EPROM有什麼區別？
•EPROM必須在紫外光照射下擦除，EEPROM可通過電子方式擦除。
•EPROM封裝中有一個石英窗口，可將芯片暴露在紫外線下，EEPROM完全封裝在不透明的塑料外殼中。
