ddr、ddr2(ddr, ddr2)和ddr3内存(ddr3 ram)的区别

随机存取存储器是计算机的一个重要组成部分，因为它起着短期存储器的作用。内存提供了临时存储数据的功能。RAM在版本和速度方面是多功能的。人们需要了解不同类型的RAM之间的区别，否则计算机和RAM之间可能会出现兼容性问题。...

关键区别：DDR（DDR1）、DDR2和DDR3是计算机中使用的不同类型的SDRAM。与DDR1相比，DDR2提供了更快的传输速率和总线时钟，并且对电源更友好。DDR3是同一技术的高级版本。与早期的内存技术相比，它实现了更快的总线速度和更高的峰值吞吐量。所有这三种记忆在不同的环境下都不同，比如技术和物理规格。

随机存取存储器是计算机的一个重要组成部分，因为它起着短期存储器的作用。内存提供了临时存储数据的功能。RAM在版本和速度方面是多功能的。人们需要了解不同类型的RAM之间的区别，否则计算机和RAM之间可能会出现兼容性问题。

DDR代表双倍数据速率。DDR RAM支持每个时钟周期两次数据传输。DDR、DDR2和DDR3是基于相同DDR技术的不同版本。所有三个ram的设计都基于同步动态随机存取存储器。DDR又称双抽运、双抽运和双跃迁过程。

DDR或DDR1属于从SDRAM技术演变而来的第一代。在原有DDR1技术的基础上，对预取、双跃迁时钟、选通数据总线、Stub串联端接逻辑2（SSTL-u2）低压信令等技术进行了改进。

DDR2属于第二代，可以看作是DDR1的继承者。它能够提供高达6.4 GB/s的数据速率。与DDR1相比，它的消耗量更低。由于更快的时钟，1.8伏的操作和信令，加上一个简化的命令集，DDR2的性能比它的前任有所提高。

DDR3（第三代DDRSDRAM）是DDR2的进一步改进版本。它在带宽和功耗方面有了特别的改进。DDR3的时钟频率为400 MHz至1066 MHz，理论峰值带宽为6.40 GB/s至17 GB/s。DDR3标准允许芯片容量为512M到16G。

DDR1已经过时，因此今天没有大规模生产。DDR2和DDR3是性能更好的首选。

DDR、DDR2和DDR3 RAM之间的比较：

	DDR内存	DDR2内存	DDR3内存
完整形式	双数据速率1随机存取存储器	双数据速率2随机存取存储器	双数据速率3随机存取存储器
最大理论传输速率（MB/s）	DDR200-1600DDR266-2133DDR333-2666DDR400-3200	DDR2（400）-3200DDR2（533）-4266DDR2（667）-5333DDR2（800）-6400DDR2（1066）-8533	DDR3（800）-6400DDR3（1066）-8500DDR3（1333）-10666DDR3（1600）-12800
总线速度（MHz）	DDR200-100DDR266-133DDR333-166DDR400-200	DDR2（400）-200DDR2（533）-266DDR2（667）-333DDR2（800）-400	DDR3（800）-400DDR3（1066）-533DDR3（1333）-667DDR3（1600）-800
电压	在相对最高的电压下工作。	与DDR相比更低，与DDR3相比更高。	在相对最低的电压下工作。
典型延迟	3.	5.	7.
引脚数	184	240	240
特征	预取–基于2n预取架构。双转换时钟–提供两倍于SDRAM的带宽，而无需增加时钟频率。存根串联端接逻辑\u 2（SSTL \u 2）低压信令技术–它使用e 2.5-V信令规范SSTL \u 2。基于选通的数据总线–用于定位以更准确的方式收集数据。	240针连接器主时钟1.8伏操作和信号简化命令集	8位预取缓冲区比DDR2的4位缓冲区存储更多的数据。用于命令、地址、控制信号，1.5V信号降低了DDR2 1.8V信号的功耗。集成在DIMM模块上的热传感器向芯片组发送信号以限制内存流量。
包装	薄型小外形封装	球栅阵列	球栅阵列
继任者	DDR2型	DDR3型	DDR4型
数据选通	单端	单端或差分	仅限差速器
模块	184针DIMM无缓冲注册；200针SODIMM；172针MicroDIMM	240针DIMM无缓冲注册；200针SODIMM；214针MicroDIMM	240针DIMM（与DDR2尺寸相同，但与DDR2 DIMM在电气上不兼容，并且具有不同的键槽位置）。DDR3使DIMM有204个引脚。
预取缓冲区（位）	2.	4.	8.