什么是离子植入物?(an ion implant?)

离子注入在几个不同的行业都有应用,尤其是在半导体制造方面。离子植入物是一种特定元素的离子,放置在其周围的材料中,以改变材料的电气或表面特性。可用于离子注入的一些常见元素是磷、砷、硼和氮。...
There are many safety protocols governing the process of doping silicon wafers.

离子注入在几个不同的行业都有应用,尤其是在半导体制造方面。离子植入物是一种特定元素的离子,放置在其周围的材料中,以改变材料的电气或表面特性。可用于离子注入的一些常见元素是磷、砷、硼和氮。

离子注入科学从20世纪50年代就已为人所知,但直到20世纪70年代才得到广泛应用。一种称为质量分离器的机器被用来将离子注入其目标材料中,该材料被称为科学用途的“基质”。在典型的装置中,离子在源点产生,然后向分离磁铁加速,分离磁铁有效地将离子集中并对准其目的地。这些离子由原子或分子组成,其电子数比通常的高或低,使它们更具化学活性。。

到达基底后,这些离子与原子和分子发生碰撞,然后停止。这种碰撞可能涉及原子核或电子。这些碰撞造成的损伤改变了基底的电性能。在许多情况下,离子注入会影响基底的导电能力。

一种叫做掺杂的技术是使用离子注入的主要目的。这通常是在集成电路的生产中完成的,事实上,像计算机中的那些现代电路,如果没有离子注入就无法制造。掺杂基本上是专门用于电路制造的离子注入的另一个名称。

掺杂要求离子从非常纯净的气体中产生,这有时可能是危险的。因此,有许多安全协议来管理掺杂硅片的过程。在自动质量分离器中,气体颗粒被加速并导向硅衬底。自动化减少了安全问题,并且每分钟可以通过这种方式掺杂几个电路。

离子注入也可用于制造钢制工具。在这种情况下,离子注入的目的是改变钢的表面性质,使其更耐裂纹。这种变化是由植入引起的表面轻微压缩引起的。离子注入带来的化学变化也可以防止腐蚀。同样的技术也被用于设计假肢设备,比如人工关节,赋予它们类似的特性。

  • 发表于 2022-01-28 09:44
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  • 分类:科学

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