PROMとEPROMの比較

エレクトロニクスやコンピューティング技術において、データの保存や検索には記憶素子が必要である。初期には磁気テープが使われ、半導体革命により半導体をベースにした記憶素子が開発された。不揮発性の半導体メモリーとしてePROMとEEPROMがある。

電源を切ってもデータを保存できない記憶素子を揮発性記憶素子と呼び、PROMやepromは不揮発性（電源を切ってもデータを保存できる）記憶セルの先駆的技術で、現在の固体記憶装置の開発につながった。

ボールとは？

PROMとは、Programmable Read-Only Memoryの略で、1959年にアメリカ空軍の要請により、Weng Ching-chouがアトラスとF大陸間弾道ミサイル搭載（空中）デジタルコンピュータメモリの代替となる不揮発性メモリのことである。OTP-NVM（One Time Programmable Non-Volatile Memory）、FPROM（Field Programmable Read Only Memory）とも呼ばれる。現在、マイクロコントローラー、携帯電話、無線自動識別カード（rfid）、高精細メディアインターフェース（HDMI）、ゲーム機コントローラーなどに広く使われている。

PROMに書き込まれたデータは永久に変更できないため、機器のファームウェアなど、スタティック・メモリとして使われることが多い。初期のコンピュータのBIOSチップもPROMチップであった。プログラミング前のチップは、1"1 "の値を持つビットしか持っていない。プログラミングの際、各ヒューズビットを融合させ、必要なビットのみをゼロ "0 "に変換した。チップは一度プログラムされると元に戻せないので、値は一定で永久的なものです。

技術に基づき、ウェハレベル、ファイナルテストレベル、システムインテグレーションレベルでデータをプログラムすることが可能です。PROMプログラマは、比較的大きな電圧（厚さ2nmで6V）をかけ、各ビットのヒューズを飛ばすことでチップをプログラムします。 PROMセルはロムと異なり、ロムが**の時にしかプログラムできないのに対し、**の後にもプログラムすることが可能です。

EPROMとは何ですか？

EPROMはErasable Programmable Read Only Memoryの略で、プログラム可能で消去可能な不揮発性メモリデバイスの一種である。ePROMは1971年にインテルのDov Frohmanがトランジスタのゲート接続が切れた欠陥集積回路の調査に基づいて開発したものである。

EPROMのメモリセルは、フローティングゲートの電界効果トランジスタの大きな集合体である。データ（各ビット）は、プログラマを使ってチップ内にソース・ドレインコンタクトを作り、チップ内の電界効果トランジスタ1個に書き込まれる。セル・アドレスに基づいて、特定のFETがデータを記憶し、この動作には通常のデジタル回路の動作電圧よりはるかに高い電圧が使われる。電圧を取り除くと、電子は電極に捕獲される。ゲート間の絶縁層である二酸化ケイ素（SiO2）は導電性が極めて低いため、長期間にわたって電荷を保持し、10～20年の記憶保持が可能である。

EPROMチップは、強力な紫外線源（水銀ランプなど）を照射することで消去されます。消去は、波長300nm以下の紫外線を用い、近距離（3cm以下）で20～30分程度露光すれば可能です。このため、EPROMのパッケージは、シリコンチップを光にさらす石英窓の上に作られている。そのため、この特徴的な石英窓から、EPROMを容易に識別することができる。また、X線を用いて消去することも可能です。

Epromは基本的に大規模回路のスタティック・メモリとして使用されます。コンピュータのマザーボードに搭載されるBIOSチップとして広く使われていたが、安価で小型、高速なEEPROMなどの新しい技術に取って代わられた。

PROMとEPROMの違いは何ですか？

-PROMは古い技術であり、PROMとEPROMはともに不揮発性の記憶装置である。

-PROMは一度しかプログラムできませんが、EPROMは再利用可能で、何度でもプログラムすることができます。

-EPROMの場合，紫外線を当てるとメモリが消去されます。

-EPROMは、これを可能にするためにパッケージ内に溶融石英の窓を設けています。プロトン交換膜は完全なプラスチックパッケージで封入されているため、紫外線による影響はない