PROM與EPROM之比較
在電子學和計算技術中，存儲元件是存儲數據並隨後檢索數據的必要條件。在最早的階段，磁帶被用作存儲器，隨著半導體革命，存儲器元件也在半導體的基礎上發展起來。EPROM和EEPROM是非易失性半導體存儲器類型。
如果一個存儲元件在斷開電源後無法保存數據，則稱為易失性存儲器元件。PROMs和eprom是非易失性存儲單元（即斷開電源後能夠保存數據）的先驅技術，導致了現代固態存儲設備的發展。
什麼是舞會？
PROM是可編程只讀存儲器的縮寫，這是一種非易失性存儲器，1959年，翁青周應美國空軍的要求，作為atlase和F型洲際彈道導彈機載（機載）數字計算機存儲器的替代品。它們也被稱為一次性可編程非易失性存儲器（OTP-NVM）和現場可編程只讀存儲器（FPROM）。目前它們廣泛應用於微控制器、移動電話、射頻識別卡（rfid）、高清媒體接口（HDMI）和視頻遊戲控制器。
寫在PROM上的數據是永久的，不能更改；因此，它們通常用作靜態存儲器，例如設備的固件。早期的計算機BIOS芯片也是PROM芯片。在編程之前，芯片只有值為1“1”的位。在編程過程中，只有所需的位通過熔斷每個熔絲位而轉換為零“0”。一旦芯片被編程，過程是不可逆的；因此，這些值是不變的和永久的。
基於**技術，數據可以在晶圓、最終測試或系統集成級別進行編程。這些都是用PROM編程器來編程的，它通過施加相對大的電壓來編程芯片（2nm厚的層通常為6V），從而引爆每一位的保險絲。PROM單元不同於rom；它們甚至可以在**之後被編程，而rom只能在**時編程。
什麼是EPROM？
EPROM是可擦除可編程只讀存儲器的縮寫，也是一類可編程也可擦除的非易失性存儲器設備。EPROM是1971年英特爾公司的多夫·弗羅曼（Dov Frohman）基於對晶體管門連接斷裂的故障集成電路的調查而開發的。
EPROM存儲單元是大量的浮柵場效應晶體管的集合。數據（每一位）被寫在芯片內的單個場效應晶體管上，使用一個編程器在芯片內部創建源漏觸點。基於單元地址，一個特定的FET存儲數據和電壓遠高於正常數字電路的工作電壓在這種操作中使用。當電壓被移除時，電子被困在電極中。由於其極低的導電性，柵極之間的二氧化硅（SiO2）絕緣層可以長時間保持電荷，因此可以保留10到20年的存儲器。
EPROM芯片通過暴露於強紫外線源（如水銀蒸氣燈）而被擦除。可以使用波長小於300nm的紫外光進行擦除，並在近距離（<3cm）下曝光20-30分鐘。為此，EPROM封裝是建立在一個熔融石英窗口，使硅芯片暴露在光。因此，EPROM很容易從這個特徵熔融石英窗口中識別出來。也可以用X射線進行擦除。
eprom基本上用作大型電路中的靜態存儲器。它們被廣泛用作計算機主板中的BIOS芯片，但它們被諸如EEPROM這樣更便宜、更小、更快的新技術所取代。
PROM和EPROM有什麼區別？
•PROM是較老的技術，而PROM和EPROM都是非易失性存儲設備。
•PROM只能編程一次，而EPROM是可重用的，可以多次編程。
•PROMS的編程過程是不可逆的。在EPROM中，內存可以通過暴露在紫外線下擦除。
•EPROM的包裝中有一個熔融石英窗，以實現這一點。質子交換膜封裝在完整的塑料包裝中，因此紫外線對質子交換膜沒有影響
