PROM与EPROM之比较

在电子学和计算技术中，存储元件是存储数据并随后检索数据的必要条件。在最早的阶段，磁带被用作存储器，随着半导体革命，存储器元件也在半导体的基础上发展起来。EPROM和EEPROM是非易失性半导体存储器类型。

如果一个存储元件在断开电源后无法保存数据，则称为易失性存储器元件。PROMs和eprom是非易失性存储单元（即断开电源后能够保存数据）的先驱技术，导致了现代固态存储设备的发展。

什么是舞会？

PROM是可编程只读存储器的缩写，这是一种非易失性存储器，1959年，翁青周应美国空军的要求，作为atlase和F型洲际弹道导弹机载（机载）数字计算机存储器的替代品。它们也被称为一次性可编程非易失性存储器（OTP-NVM）和现场可编程只读存储器（FPROM）。目前它们广泛应用于微控制器、移动电话、射频识别卡（rfid）、高清媒体接口（HDMI）和视频游戏控制器。

写在PROM上的数据是永久的，不能更改；因此，它们通常用作静态存储器，例如设备的固件。早期的计算机BIOS芯片也是PROM芯片。在编程之前，芯片只有值为1“1”的位。在编程过程中，只有所需的位通过熔断每个熔丝位而转换为零“0”。一旦芯片被编程，过程是不可逆的；因此，这些值是不变的和永久的。

基于**技术，数据可以在晶圆、最终测试或系统集成级别进行编程。这些都是用PROM编程器来编程的，它通过施加相对大的电压来编程芯片（2nm厚的层通常为6V），从而引爆每一位的保险丝。PROM单元不同于rom；它们甚至可以在**之后被编程，而rom只能在**时编程。

什么是EPROM？

EPROM是可擦除可编程只读存储器的缩写，也是一类可编程也可擦除的非易失性存储器设备。EPROM是1971年英特尔公司的多夫·弗罗曼（Dov Frohman）基于对晶体管门连接断裂的故障集成电路的调查而开发的。

EPROM存储单元是大量的浮栅场效应晶体管的集合。数据（每一位）被写在芯片内的单个场效应晶体管上，使用一个编程器在芯片内部创建源漏触点。基于单元地址，一个特定的FET存储数据和电压远高于正常数字电路的工作电压在这种操作中使用。当电压被移除时，电子被困在电极中。由于其极低的导电性，栅极之间的二氧化硅（SiO2）绝缘层可以长时间保持电荷，因此可以保留10到20年的存储器。

EPROM芯片通过暴露于强紫外线源（如水银蒸气灯）而被擦除。可以使用波长小于300nm的紫外光进行擦除，并在近距离（<3cm）下曝光20-30分钟。为此，EPROM封装是建立在一个熔融石英窗口，使硅芯片暴露在光。因此，EPROM很容易从这个特征熔融石英窗口中识别出来。也可以用X射线进行擦除。

eprom基本上用作大型电路中的静态存储器。它们被广泛用作计算机主板中的BIOS芯片，但它们被诸如EEPROM这样更便宜、更小、更快的新技术所取代。

PROM和EPROM有什么区别？

•PROM是较老的技术，而PROM和EPROM都是非易失性存储设备。

•PROM只能编程一次，而EPROM是可重用的，可以多次编程。

•PROMS的编程过程是不可逆的。在EPROM中，内存可以通过暴露在紫外线下擦除。

•EPROM的包装中有一个熔融石英窗，以实现这一点。质子交换膜封装在完整的塑料包装中，因此紫外线对质子交换膜没有影响