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双极晶体管是唯一真正的功率晶体管使用,直到非常有效的MOSFET出现在70年代初。自1947年底问世以来,BJTs的电气性能得到了极大的提高,目前仍广泛应用于电子电路中。双极晶体管具有相对缓慢的关断特性,并且呈现负温度系数,这可能导致二次击穿。然而,mosfet是电压控制而不是电流控制的器件。它们具有阻止热失控的电阻的正温度系数,因此不会发生二次击穿。后来,IGBTs在20世纪80年代末出现。IG...
BJT(双极结晶体管)和IGBT(绝缘栅双极晶体管)是两种用于控制电流的晶体管。两种器件都有PN结,器件结构不同。虽然两者都是晶体管,但它们在特性上有显著的差异。...
GTO(Gate-Turn-off晶闸管)和IGBT(绝缘栅双极晶体管)是两种具有三个端子的半导体器件。它们都是用来控制电流和开关的。两个设备的操作都有不同的控制门。...
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和IGBT(绝缘栅双极晶体管)是两种类型的晶体管,它们都属于栅极驱动类型。两种器件都具有相似的结构,具有不同类型的半导体层。...
晶闸管和绝缘栅双极晶体管(IGBT)是两种具有三个端子的半导体器件,它们都用来控制电流。这两种设备都有一个名为“门”的控制终端,但操作原理不同。...