PVD與CVD
PVD(物理氣相沉積)和CVD(化學氣相沉積)是兩種技術,用於在基板上形成一層很薄的材料;通常稱為薄膜。它們主要用於生產半導體,在半導體中,n型和p型材料的薄層形成了必要的連線。PVD和CVD的主要區別在於它們採用的工藝。正如你可能已經從名字中推斷出的那樣,PVD只使用物理力來沉積該層,而CVD則使用化學過程。
在PVD技術中,透過蒸發、高功率電的應用、鐳射燒蝕和其他一些技術使純源材料氣化。氣化後的材料將在基材上凝結,形成所需的層。整個過程中沒有發生化學反應。
在化學氣相沉積中,源材料實際上並不純凈,因為它與作為載體的揮發性前體混合。將混合物註入含有基底的腔室中,然後沉積到其中。當混合物已經粘附在基板上時,前體最終分解併在基板中留下所需的源材料層。然後副產品透過氣流從腔室中排出。分解過程可以透過加熱、等離子或其他過程來輔助或加速。
無論是透過CVD還是透過PVD,最終的結果基本上是相同的,因為它們都會根據所需的厚度產生一層非常薄的材料。CVD和PVD是非常廣泛的技術,有許多更具體的技術。實際過程可能不同,但目標是相同的。由於成本、易用性和各種其他原因,某些技術在某些應用中可能比其他技術更好;因此,在該領域,它們是首選的。
總結:
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