化學計量(stoichiometric)和非化學計量缺陷(nonstoichiometric defects)的區別

化學計量缺陷和非化學計量缺陷之間的關鍵區別在於，化學計量缺陷不會干擾化合物的化學計量，而非化學計量缺陷則會干擾化合物的化學計量。

晶體結構中存在兩種主要的缺陷，即化學計量缺陷和非化學計量缺陷。在化學計量化合物中，它的化學式表示化合物中陽離子和陰離子的比率。

化學計量(stoichiometric)和非化學計量缺陷(n***toichiometric defects)的區別

什麼是化學計量缺陷(stoichiometric defects)？

化學計量缺陷是指不干擾化合物化學計量的缺陷。這意味著化學計量缺陷不會改變晶體結構中存在的陽離子和陰離子之間的比率。化學計量學缺陷有幾種不同類型；

在晶體結構中，通常有空位。小原子可以佔據這些位置，在能量上有利（通常，間隙位的存在會增加晶體的總能量）。因此，離子在間隙部位的存在會導致間隙缺陷。

當從晶體結構中移除的陽離子和陰離子數量相等時，就會形成肖特基缺陷。然而，晶體的電中性保持不變，因為從晶體中移除的電荷數相等。這種缺陷發生在具有相似大小的陽離子和陰離子的晶體中。

圖01:Schottky和Frenkel缺陷

當晶格中的一個離子移走並佔據晶體結構的間隙位置時，就會產生Frenkel缺陷。然而，晶體的電荷保持不變，因為沒有離子從外部被移除或添加。

非化學計量缺陷是指晶體結構中干擾晶體化學計量的缺陷。換句話說，化學計量系統的缺陷。當晶體結構中存在非化學計量缺陷時，化合物組成離子的比率變為非化學計量。非化學計量缺陷主要有兩種類型；

金屬過量缺陷有兩種類型。第一種是由陰離子空位引起的金屬過量缺陷。在這種情況下，缺陷是由於晶格中缺少陰離子而產生的。然而，晶格中的電子保持不變。第二種類型是由於間隙位置中存在額外陽離子而產生的金屬過量缺陷。在這裡，當正離子佔據晶格間隙位置時，可以觀察到缺陷。

這些缺陷也有兩種類型：由陽離子空位引起的缺陷和佔據晶格間隙位置的額外陰離子引起的缺陷。當晶格中缺少正電荷時，附近的陽離子會平衡額外的負電荷。這種缺陷稱為陽離子空位缺陷。同時，當一個額外的負離子佔據晶格的間隙位置時，附近的陽離子平衡了額外的負電荷。這類缺陷是第二類金屬缺陷缺陷。

化學計量與非化學計量缺陷
化學計量缺陷是指不影響化合物化學計量的缺陷。	非化學計量缺陷是指晶體結構中干擾晶體化學計量的缺陷。
對化學計量的影響
它們不影響化合物的化學計量。	它們改變了化合物的化學計量。
不同類型
有幾種類型，如間隙缺陷、肖特基缺陷和弗倫克爾缺陷。	金屬過量缺陷和金屬缺陷缺陷是幾種缺陷中的兩種主要類型