化学计量缺陷和非化学计量缺陷之间的关键区别在于，化学计量缺陷不会干扰化合物的化学计量，而非化学计量缺陷则会干扰化合物的化学计量。

晶体结构中存在两种主要的缺陷，即化学计量缺陷和非化学计量缺陷。在化学计量化合物中，它的化学式表示化合物中阳离子和阴离子的比率。

目录

1. 概述和主要区别
2. 什么是化学计量缺陷
3. 什么是非化学计量缺陷
4. 并列比较-化学计量与非化学计量缺陷的表格形式
5. 摘要

什么是化学计量缺陷(stoichiometric defects)？

化学计量缺陷是指不干扰化合物化学计量的缺陷。这意味着化学计量缺陷不会改变晶体结构中存在的阳离子和阴离子之间的比率。化学计量学缺陷有几种不同类型；

1. Interstitial Defects

在晶体结构中，通常有空位。小原子可以占据这些位置，在能量上有利（通常，间隙位的存在会增加晶体的总能量）。因此，离子在间隙部位的存在会导致间隙缺陷。

2. Schottky Defects

当从晶体结构中移除的阳离子和阴离子数量相等时，就会形成肖特基缺陷。然而，晶体的电中性保持不变，因为从晶体中移除的电荷数相等。这种缺陷发生在具有相似大小的阳离子和阴离子的晶体中。

图01:Schottky和Frenkel缺陷

3. Frenkel Defects

当晶格中的一个离子移走并占据晶体结构的间隙位置时，就会产生Frenkel缺陷。然而，晶体的电荷保持不变，因为没有离子从外部被移除或添加。

什么是非化学计量缺陷(n***toichiometric defects)？

非化学计量缺陷是指晶体结构中干扰晶体化学计量的缺陷。换句话说，化学计量系统的缺陷。当晶体结构中存在非化学计量缺陷时，化合物组成离子的比率变为非化学计量。非化学计量缺陷主要有两种类型；

1. Metal Excess Defect

金属过量缺陷有两种类型。第一种是由阴离子空位引起的金属过量缺陷。在这种情况下，缺陷是由于晶格中缺少阴离子而产生的。然而，晶格中的电子保持不变。第二种类型是由于间隙位置中存在额外阳离子而产生的金属过量缺陷。在这里，当正离子占据晶格间隙位置时，可以观察到缺陷。

2. Metal Deficiency Defect

这些缺陷也有两种类型：由阳离子空位引起的缺陷和占据晶格间隙位置的额外阴离子引起的缺陷。当晶格中缺少正电荷时，附近的阳离子会平衡额外的负电荷。这种缺陷称为阳离子空位缺陷。同时，当一个额外的负离子占据晶格的间隙位置时，附近的阳离子平衡了额外的负电荷。这类缺陷是第二类金属缺陷缺陷。

化学计量(stoichiometric)和非化学计量缺陷(n***toichiometric defects)的区别

总结 - 化学计量(stoichiometric) vs. 非化学计量缺陷(n***toichiometric defects)

缺陷是晶体结构中不寻常的点。缺陷有两种基本形式，即化学计量缺陷和非化学计量缺陷。化学计量缺陷和非化学计量缺陷的区别在于，化学计量缺陷不会干扰化合物的化学计量，而非化学计量缺陷则会干扰化合物的化学计量。

引用

1“非化学计量缺陷”，《神奇固体》，2013年7月29日。这里有2个。维贝塞姆。“化学计量缺陷”，EMedicalPrep。此处提供
2维贝塞姆。“化学计量缺陷”，EMedicalPrep。