晶体管与晶闸管
晶体管和晶闸管都是具有交替P型和N型半导体层的半导体器件。由于效率高、成本低、体积小等原因，它们在许多交换应用中得到了广泛的应用。它们都是三端器件，用较小的控制电流提供了良好的电流控制范围。这两种设备都有依赖于应用的优点。
晶体管
晶体管由三层交替的半导体层（P-N-P或N-P-N）组成。这形成了两个PN结（由P型半导体和N型半导体连接而成的结），因此，观察到了一种独特的行为类型。三个电极连接在三个半导体层上，中间的终端称为“基极”。另外两层被称为“发射器”和“收集器”。
在晶体管中，大的集电极到发射极（Ic）电流是由小的基极发射极电流（IB）控制的，这种特性被用来设计放大器或开关。在开关应用中，当提供基极电流时，三层半导体充当导体。
晶闸管
晶闸管由四个交替的半导体层（以P-N-P-N的形式）构成，因此由三个PN结组成。在分析中，这被认为是一对紧密耦合的晶体管（一个是PNP，另一个是NPN配置）。最外层的P型和N型半导体层分别称为阳极和阴极。连接到内部P型半导体层的电极称为“栅极”。
在操作中，当向栅极提供脉冲时，晶闸管起传导作用。它有三种工作模式，称为“反向闭锁模式”、“正向闭锁模式”和“正向传导模式”。一旦用脉冲触发栅极，晶闸管将进入“正向导通模式”，并保持导通，直到正向电流小于阈值“保持电流”。
晶闸管是一种功率器件，大多数情况下，它们被用于高电流和高电压的应用中。晶闸管最常用的应用是控制交流电流。
| 晶体管和晶闸管的区别1。晶体管只有三层半导体，而晶闸管只有四层。晶体管的三个端子被称为发射极、集电极和基极，晶闸管的三个端子被称为阳极、阴极和栅极3。分析中将晶闸管视为紧密耦合的晶体管对。晶闸管可以在比晶体管更高的电压和电流下工作。晶闸管的功率处理更好，因为它们的额定值以千瓦为单位，而晶体管的功率范围以瓦为单位。晶闸管只需要一个脉冲就可以将模式转换为导通，而晶体管需要连续的控制电流供应。晶体管的内部功率损耗高于晶闸管。 |
