NPN与PNP晶体管
晶体管是用于电子学的三端半导体器件。根据内部操作和结构的不同，将晶体管分为两类，双极结晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。BJT是1947年由贝尔电话实验室的johnbardeen和walterbrattain开发的第一个。PNP和NPN只是两种类型的双极结晶体管（BJT）。
BJTs的结构是在两层相反类型的半导体之间夹有一层P型或N型半导体材料。夹层和两个外层形成两个半导体结，因此被称为双极结晶体管。中间有p型半导体材料，侧面有n型材料的BJT被称为NPN型晶体管。同样，中间有n型材料，侧面有p型材料的BJT被称为PNP晶体管。
中间层称为基极（B），而外层的一层称为集电极（C），另一层称为发射极（E）。这些结被称为基极发射极（B-E）结和基集电极（B-C）结。基极是轻掺杂的，而发射极是高掺杂的。集电极的掺杂浓度比发射极低。
在工作中，BE结通常是正向偏置的，BC结是反向偏置的，电压要高得多。电荷流是由于载流子在这两个结上的扩散造成的。
关于PNP晶体管的更多信息
PNP晶体管由n型半导体材料构成，施主杂质的掺杂浓度相对较低。发射极被掺杂在更高浓度的受主杂质，而集电极被赋予比发射极更低的掺杂水平。
在工作中，BE结正向偏置是通过对基极施加较低的电位，而BC结则是反向偏置的，对集电极施加的电压要低得多。在这种结构中，PNP晶体管可以作为开关或放大器工作。
PNP晶体管的主要载流子空穴具有相对较低的迁移率。这导致了较低的频率响应率和电流限制。
关于NPN晶体管的更多信息
NPN型晶体管是在一种掺杂水平相对较低的p型半导体材料上构成的。发射极被施主杂质掺杂在一个更高的掺杂水平，而集电极被掺杂的能级比发射极低。
NPN晶体管的偏置结构与PNP晶体管相反。电压相反。
NPN型的主要载流子是电子，比空穴具有更高的迁移率。因此，NPN型晶体管的响应时间相对比PNP型快。因此，NPN型晶体管是高频相关器件中最常用的晶体管，其**比PNP更容易使其成为这两种类型中的主要晶体管。
- PNP晶体管具有具有n型基极的p型集电极和发射极，而NPN晶体管具有具有具有p型基极的n型集电极和发射极。
- PNP的主要载流子是空穴，而NPN中的载流子是电子。
- 偏压时，使用与其他类型相反的电位。
- NPN具有更快的频率响应时间和更大的电流通过元件，而PNP具有低频响应和有限的电流流。
