位错蠕变和扩散蠕变的主要区别在于位错蠕变是位错在材料晶体结构中的运动，而扩散蠕变是空位在晶格中的扩散。

物理化学中的变形是指物体从参考结构到当前结构的连续力学变换。

目录

1. 概述和主要区别
2. 什么是位错蠕动
3. 什么是扩散蠕变
4. 并列比较-位错蠕变与扩散蠕变的表格形式
5. 摘要

什么是位错蠕变(dislocation creep)？

位错蠕变是晶体材料中的一种变形机制，它涉及位错在材料晶格中的运动。这与扩散蠕变的机理相反。位错蠕变导致单个晶体的塑性变形，从而导致材料本身的塑性变形。

这种变形对材料上的差异应力非常敏感。例如，在非常低的温度下，位错蠕变是大多数晶体材料的主要变形机制。

图01：图中的位错蠕变

晶体中的位错蠕变是由于位错在整个晶格中的运动而发生的。当位错穿过晶体时，晶体的一部分倾向于沿一个平面移动一个晶格点（相对于晶体的其余部分）。分离移动区域和未移动区域的平面称为滑动面。为了允许这种运动，沿滑移面的所有离子化学键必须立即断裂。此外，从理论上讲，这种键断裂需要大量的能量，才有可能发生位错蠕变。假设这一运动是逐步进行的，键的断裂紧接着是一个新的键在低能量水平上产生。

由于位错在晶格中的逐步移动，在晶格的各个部分之间可能产生线性晶格缺陷。位错蠕动分为边缘位错和螺旋位错两种类型。在位错位错蠕动中，晶格中额外一层原子的边缘形成。在螺旋位错蠕变中，它形成了一条线，晶格沿着这条线跳跃一个点阵点。

什么是扩散蠕变(diffusion creep)？

扩散蠕变是晶体材料中空位通过晶格扩散的一种变形机制。这种变形技术导致材料的塑性变形，而不是脆性破坏。

与晶格中发生的其他变形类型相比，这种变形类型对温度更为敏感。扩散蠕变通常发生在高温下。此外，扩散蠕变导致晶体缺陷通过晶格的迁移，当晶体在一个方向上承受比另一个方向更大程度的压缩时。在那里，缺陷沿着压缩方向向晶面迁移。这导致净质量转移，从而导致晶体在发生最大压缩的方向上缩短。

通常，晶体在微观尺度上并不完美。这是因为晶格中的某些原子位置被点缺陷、粒子或空位所占据。这些空位可以看作是可以用非均相平衡处理的化学物种。在这种现象中，空位的数量受到晶体中化学杂质数量的影响。由于相邻粒子的“跳跃”，这些空位可以在晶体结构中移动。

位错蠕变(dislocation creep)和扩散蠕变(diffusion creep)的区别

物理化学中的变形是指物体从参考结构到当前结构的连续力学变换。位错蠕变和扩散蠕变的主要区别在于位错蠕变是位错在材料晶体结构中的运动，而扩散蠕变是空位在晶格中的扩散。

下面的信息图表列出了位错蠕变和扩散蠕变之间的差异，以便进行并列比较。

总结 - 位错蠕变(dislocation creep) vs. 扩散蠕变(diffusion creep)

位错蠕变和扩散蠕变是晶格中的两种变形机制。位错蠕变和扩散蠕变的主要区别在于位错蠕变是位错在材料晶体结构中的运动，而扩散蠕变是空位在晶格中的扩散。

引用

1.“扩散蔓延”科学直接主题，可在此处获得。