电可擦可编程只读存储器(eeprom)和闪光(flash)的区别

EEPROM与闪存...

EEPROM与闪存

当谈到存储媒体时，Flash是一个非常流行的术语，因为它被**、平板电脑和媒体播放器等便携式设备所使用。Flash实际上是EEPROM的产物，EEPROM代表电可擦除可编程只读存储器。EEPROM和Flash的主要区别在于它们使用的逻辑门的类型。当EEPROM使用更快的NOR（Not和OR的组合）时，Flash使用较慢的NAND（Not和and）类型。NOR类型要比NAND类型快得多，但是有一个可承受性的问题，因为前者比NAND类型要贵得多。

EEPROM相对于Flash的另一个优势在于如何访问和擦除存储的数据。EEPROM可以按字节或一次一个字节访问和擦除数据。相比之下，Flash只能按块执行。为了简化整个过程，单个字节被分组到更小的块中，每个块中可以有数千字节。当您一次只想读或写一个字节时，这就有点问题了；这是执行程序代码时通常需要的。这就是为什么Flash不能用于需要按字节访问数据的电子电路中。Flash中的数据也可以被执行，但它需要作为一个整体被读取并预先加载到RAM中。

EEPROM被设计成读的比写的多得多。这与电子电路的编程是一致的，在测试程序时，你会多次写入芯片。然后，它被永久存储，只在每次需要数据时才被读取。这不太适用于数据例行写入和读取的存储介质。

在典型的使用中，Flash主要用于指代存储介质，其范围从1 GB到数百GB不等。相反，EEPROM通常被保留在电子芯片中用于永久性的代码存储。典型值的范围从千字节到几兆字节。

总结：

1.闪存只是EEPROM的一种类型2.闪存使用NAND型存储器，而EEPROM使用NOR类型3.闪存可分块擦除，而EEPROM可字节擦除4.闪存不断重写，而其他EEPROM很少重写5.闪存是在需要大量时使用，而EEPROM是在只需要少量时使用

发表于 2021-06-24 06:26
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分类：IT

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