关键区别：EEPROM是一种非易失性存储器，它是一种用户可修改的存储器，用户可以通过施加外部或内部产生的高于正常电压的电压来不断擦除和重新编程。FlashROM是一个通用的flash编程工具，用于检测、读取、验证、擦除或写入DIP、PLCC、SOIC、TSOP或BGA封装中的BIOS芯片。

自从计算机出现以来，内存和存储数据的能力一直存在问题，直到计算机断电，或者即使在断电后仍继续保存数据。最初发明的内存芯片价格昂贵，只能写一次就不得不丢弃。这成了一个昂贵的措施，这些芯片只用于存储计算机所需的程序；然而，随着对廉价内存需求的增长，不同类型的内存被开发出来。

我们先来了解一下ROM是什么。只读存储器是电脑中的一种非易失性存储系统。每台电脑都配备有这种存储器，用于保存启动电脑的指令。ROM存储关键程序，例如引导计算机并执行诊断的程序。存储在ROM中的数据不容易重写或修改。当电脑关机时，这些数据也不会丢失。

EEPROM是电可擦除可编程只读存储器的缩写，是一种非易失性存储器，用于计算机和电子设备中，存储为某些程序供电所需的少量数据和指令，即使在计算机断电后，即数据，如校准表或设备配置。EEPROM也称为E2PROM、双e-prom、e-squared和e-prom，它是EPROM（可擦除可编程只读存储器）的后继产品。EEPROM是一种用户可修改的存储器，用户可以通过施加外部或内部产生的高于正常值的电压来不断擦除和重新编程。原来的EPROM必须从系统中删除删除内存和编程，而EEPROM不需要删除删除和编程。

EEPROM的主要特点是数据可以一次一个字节地输入和擦除到系统中，这使得程序员可以完全控制输入的数据。然而，这种方法需要很长时间，因为每个数据都被输入并逐字节擦除。EEPROM系统也可以通过补丁更新，通常用于保存计算机的BIOS（基本输入输出系统）。现代的eeprom已经放弃了单字节特性，转而使用多字节页操作；但是，它们的使用寿命仍然有限（ROM可以重新编程的次数）。EEPROM技术是由georgeperlegos于1978年在Intel为intel2816构建的。

FlashROM是EEPROM的一种；然而，它不被称为EEPROM，被认为是一种独立的存储器类型。Wikipedia将FlashROM定义为“一种通用的闪存编程实用程序，用于检测、读取、验证、擦除或写入DIP、PLCC、SOIC、TSOP或BGA软件包中的BIOS芯片。”它通常用于将固件映像（即BIOS或coreboot）闪存到现有固件以进行备份。它是免费软件，在GNU通用公共许可证版本2下可用。FlashROM从用户空间运行，通常需要超级用户权限。它能够支持300多个闪存芯片、220多个芯片组、401块主板、50个PCI设备、12个USB设备以及各种并口/串口和USB设备。它还可以支持交叉闪光和热闪光。

FlashROM使用Flash存储器，这是一种非易失性存储器，用于计算机中存储数据。它可以很容易地删除和编程电气。闪存有两种类型：NAND和NOR。这些是以与非门和非门命名的，因为单个闪存单元表现出与这些门相似的特性。NAND型闪存允许将存储器划分为块，在块或页中写入和擦除存储器，并且通常小于整个设备，使得在存储器上写入和擦除数据的速度更快。NOR类型存储器允许单个机器字独立地读写。由于内存块作为一个块进行擦除，同时仍然允许在字节级写入数据，因此flash比EEPROM具有显著的优势。闪光灯也被认为是更好的，因为它消耗更少的电力，更耐用，可以生存过多的热量和压力。

EEPROM和Flash在计算机中的应用取决于设计系统的公司。虽然Flash是EEPROM的一种类型，但它在从存储器中写入和擦除数据方面有很大的不同。