本征半导体(intrinsic semiconductors)和非本征半导体（附对照表）(extrinsic semiconductors (with comparison table))的区别

本质半导体是由半导体材料制成的纯半导体（不存在任何明显的掺杂剂）。因此，在这种半导体中，载流子的数量取决于材料本身的性质，而不是杂质的数量。...

本质半导体是由半导体材料制成的纯半导体（不存在任何明显的掺杂剂）。因此，在这种半导体中，载流子的数量取决于材料本身的性质，而不是杂质的数量。

它也可以被描述为传导电子的数量等于空穴的数量。在室温下，本征半导体的导电性几乎可以忽略不计。由于其晶体结构中不存在其他类型的元素。

非本征半导体是一种改进的本征半导体，通过掺杂过程加入少量杂质，从而提高其导电性并改变半导体的电性能。

掺杂剂为五价原子（具有五价电子的原子）或三价原子（具有三价电子的原子）。五价掺杂原子的示例包括：锑、砷、磷和铋。另一方面，三价掺杂原子的例子包括：镓、铟、铝和硼。

非本征半导体具有高导电性。和本征半导体不同，本征半导体有两种类型：p型和n型半导体。

区别

在本征半导体中不掺杂或添加杂质，而在纯半导体中掺杂少量杂质以制备非本征半导体。
本征半导体的导电性仅是温度的函数，而非本征半导体的导电性则取决于温度以及掺杂在结构中的杂质原子。
非本征半导体中的电子和空穴密度相同，即导带中存在的自由电子数等于价带中的空穴数，然而，对于非本征半导体，电子和空穴数不相等。
本征半导体中的费米能级位于禁带的中心，并且随温度的变化而不变。在非本征半导体中，费米能级随温度的变化而向上或向下移动。
本征半导体的导电性非常差，而本征半导体的导电性相当好。
实际上不使用本征半导体，而实际使用非本征半导体。
纯硅和锗晶体用于本征半导体，而砷、锑、磷、铝、铟等杂质加入纯硅和锗中形成非本征半导体。
在本征半导体中，导带和价带之间的带隙较小，而在非本征半导体中，带隙较大。
本征半导体没有任何进一步的分类，而非本征半导体可分为n型和p型。

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表格式的本征半导体与非本征半导体

比较基础	本征半导体	非本征半导体
兴奋剂	掺杂或添加杂质不会发生在本征半导体中。	在纯半导体中掺杂少量杂质以制备非本征半导体。
导电性	电导率仅是温度的函数。	电导率取决于温度以及掺杂在结构中的杂质原子。
空穴和电子的数量	导带中的自由电子数等于价带中的空穴数。	电子和空穴的数目不相等。
费米能级	费米能级位于禁带的中心，并且随着温度的变化而变化。	费米能级随温度的变化向上或向下移动。
导电性	本征半导体的导电性很差。	非本征半导体的导电性相当好。
使用	本征半导体没有实际应用。	非本征半导体在实际中得到了应用。
杂质	纯硅和锗晶体用于本征半导体。	将砷、锑、磷、铝、铟等杂质添加到纯硅和锗中形成非本征半导体。
带隙/能隙	在本征半导体中，导带和价带之间的带隙很小。	在非本征半导体中，带隙更大。
分类	没有任何进一步的分类。	可分为n型和p型。

Also Read: Difference Between P-type Semi Conductor And N-type Semiconductor

发表于 2021-11-27 11:57
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分类：科学

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