p型(p type)和n型半导体(n type semiconductor)的区别

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它们之所以这样命名是因为它们所携带的电荷。p型带正电荷,而n型带负电荷。电荷取决于空穴浓度和电子浓度。p型半导体具有较大的空穴浓度,从而产生正电荷。类似地,n型具有比空穴浓度更大的电子浓度,这导致负电荷。

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p型半导体和n型半导体的其他一些区别包括:p型半导体是通过掺杂含有受体杂质的本征半导体而产生的,而n型则是通过掺杂有施主杂质的本征半导体而产生的。p型涂料中最常见的是硼、铝或镓;而最常见的n型掺杂剂是磷、锑和砷。

p型半导体的空穴浓度大于电子浓度,而n型半导体的空穴浓度大于电子浓度。此外,在n型半导体中,费米能级大于本征半导体的费米能级。它也比价带更靠近导带。另一方面,在p型半导体中,费米能级低于本征费米能级,它比导带更靠近价带。

p型和n型半导体的比较:

 

P型 N型
类型 非本征半导体 非本征半导体
说明 一种带有正电荷并具有更好导电性的非本征半导体。 一种带负电荷并具有更好导电性的非本征半导体。
空穴浓度 较大的孔浓度 低孔浓度
电子浓度 电子浓度低 较大的电子浓度
充电 孔的正电荷 电子负电荷
载体 空穴是大多数载流子,电子是少数载流子 电子是大多数载流子,空穴是少数载流子
创造 通过在本征半导体中掺杂受主杂质而产生的 用施主杂质掺杂本征半导体产生的
掺杂剂 硅中常见的P型掺杂剂是硼。其他包括铝或镓。 N型硅的常见掺杂剂是磷。其他包括锑和砷。
掺杂效应 受主杂质产生一个洞。 施主杂质贡献自由电子
包含 三价杂质 五价杂质
费米能级 费米能级低于本征费米能级,比导带更靠近价带 费米能级比本征半导体的费米能级大,比价带更靠近导带

  • 发表于 2021-07-12 17:20
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