什么是场效应晶体管？(a field effect transistor?)

场效应晶体管（FET）是集成电路中常用的电子元件。它们是一种独特的晶体管，根据输入的内容提供可变的输出电压。这与双极结晶体管（BJT）不同，双极结晶体管（BJT）的设计取决于电流的大小，具有开启和关闭状态。金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是目前使用的最常见的场效应晶体管类型，它经常被纳入计算机内存设计中，因为它比BJT具有更高的速度和更低的能耗。。...

The most common type of FET in use, the Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) is frequently incorporated into computer memory design, as it offers higher speed with less energy consumption than BJTs.

晶体管对于其设计的电路有许多不同的特性和功能。有机场效应晶体管（OFET）是建立在有机层衬底上的，通常是聚合物的一种形式。这些晶体管具有柔性和可生物降解的特性，用于制造基于塑料的视频显示器和太阳能电池板等。另一种FET变体是结场效应晶体管（JFET），它在电路中充当二极管的形式，只有在电压反向时才传导电流。。

碳纳米管场效应晶体管（CNTFET）是一种基于单个碳纳米管而非典型硅衬底的实验场效应晶体管。这使得它们比用传统薄膜技术制造的最小晶体管小20倍左右。他们的承诺是以更低的成本提供更快的计算机处理速度和更大的内存。自1998年以来，人们已经成功地证明了这一点，但诸如纳米管在氧气存在下的降解以及在温度或电场应力下的长期可靠性等问题使它们一直处于实验阶段。。

工业中常用的其他类型的场效应晶体管包括栅极晶体管，例如绝缘栅极双极晶体管（IGBT），它可以处理高达3000伏的电压，并充当快速开关。它们在许多现代电器、电动汽车和火车系统中有着广泛的应用，也常用于音频放大器中。耗尽模式FET是FET设计变化的另一个例子，通常用作光子传感器和电路放大器。

计算机和电子设备的许多复杂需求继续推动晶体管功能设计和制造材料的多样化。场效应晶体管是几乎所有电路中的基本元件。场效应晶体管的原理于1925年首次获得专利，然而如何利用这种想法的新概念正在不断被创造。

发表于 2022-02-10 12:24
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分类：科学

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