ibm的相变存储器比flash快，比ram更可靠
IBM今天宣布了一种更有效的使用相变存储器的方法，这是一项突破，可以帮助电子设备从标准RAM和闪存过渡到更快、更可靠的存储类型。相变存储器，或称PCM，是一种非易失性光学存储器，它通过操纵硫系玻璃的行为来工作，这就是数据存储在可重写蓝光光盘上的方式。施加电流将PCM单元从非晶态结构转变为晶态结构，使您可以在任一状态下存储0和1，同时施加低电压可以读回数据。
过去的问题是PCM容量有限，成本高；通常每个单元只能存储一个1位。这使得它对笔记本电脑或移动电话存储等主存应用程序用处不大。然而，IBM的研究人员通过修补晶体对高温的反应，发现了如何在每个细胞中存储3比特，而高温是PCM细胞进入多种状态所必需的。IBM非易失性存储器研究部经理Haris Pozidis在一份声明中写道：“因为在这种密度下，PCM的成本将大大低于DRAM，更接近闪存。”。
IBM表示，这些应用范围从取代现代台式电脑中的RAM，到使用PCM和闪存的混合形式来大幅提高移动设备的速度。”例如，一部**的操作系统可以存储在PCM中，使**在几秒钟内启动在企业空间，整个数据库可以存储在PCM中，以便为时间紧迫的在线应用程序（如金融交易）提供快速的查询处理。”
甚至有基于云的人工智能应用程序可以从PCM中受益。”该公司写道：“使用大型数据集的机器学习算法还将通过减少迭代之间读取数据时的延迟开销来提高速度。”。与flash相比，PCM可以承受大约3000个写周期，它可以承受多达1000万个周期，这使它成为一种可能改变数据中心行业的技术。
- 发表于 2021-05-05 01:41
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