在日常生活中,电和电流都起着重要的作用。电流是带电粒子(如电子或离子)通过导电材料(如金属线)的流动。
电流的流动是由电路决定的,电路包括电线、开关、电池和一个电子装置(主要是灯泡),这是最基本的电路,人们可以对它作一个基本的解释。当开关接通时,可以看到电流的流动。
晶体管有三个端子(发射极、基极和集电极),使其能够连接到外部电路。它们是集成电路的有源元件。它们的工作原理包括两个背靠背连接的PN二极管,在需要电流的地方显示电流强度。
主要有两种类型的晶体管;BJT是双极结晶体管的缩写,FET是场效应晶体管的缩写。
BJT和MOSFET的区别在于BJT用作电流控制器件,而MOSFET用作电压控制器件。这两种方法都被认为是很好的放大方法,但它们的工作原理不同。
Parameters of Comparison | BJT | MOSFET |
---|---|---|
硬件结构 | 发射极、基极和集电极 | 出招、得逞 |
申请人优先考虑 | 低电流应用 | 大功率、电流控制应用 |
输入阻抗 | 低 | 高 |
温度系数 | 负温度系数 | 正温度系数 |
装置 | 电流控制装置 | 电压控制装置 |
BJT是双极结晶体管的缩写,它是一种利用带电电子和电子空穴的晶体管。它是电流驱动装置。
BJT被用作放大器、振荡器,甚至在许多方面被用作开关。主要有三个端子或插脚;基极、集电极和发射极。集电极或发射极输出是基极电流的函数。
BJT晶体管的工作由基极电流驱动。BJT是双极性的,因此有两个结叫做P和N。BJT有两种类型;PNP晶体管和NPN晶体管。NPN的载流子是带电电子空穴,而PNP的载流子是带电电子。
BJT使用半导体作为N型和P型结。BJT的一些应用是:;立体声系统中的音频放大器、电源控制电路、交流逆变器、功率放大器、开关电源、交流电机速度控制器、继电器和驱动器等。。
BJT晶体管主要由四层组成;第一层是重掺杂的发射极层(n+),第二层是中等掺杂的基极层(p),轻掺杂的第三层集电极漂移区(n-),以及高掺杂的第四层集电极区(n+)。
BJT是低电流应用的首选,因为它具有低开关频率和负温度系数。电流晶体管的功率处理能力非常大,因此,它们以热的形式耗散功率。
MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管的缩写。它又被称为金属氧化物硅晶体管,它可以被归类为一种具有绝缘栅场效应晶体管的晶体管,这种晶体管是通过半导体的控制氧化进一步**的,主要是硅,它是单极的。
MOSFET用于放大或切换电路中的电压。栅极电压产生的磁场允许电流在源极和漏极之间流动。电流可能会被栅极上的电压掐断。
MOSFET的工作依赖于MOS电容,MOS电容是源极和漏极之间的半导体表面。它们无限的输入阻抗使放大器可以捕捉几乎所有的信号。它有三个终端;源、增益和漏极。
MOSFET的优点之一是不需要输入电流来控制负载电流。MOSFET有两种基本形式;耗尽型晶体管需要栅极源电压来关闭器件。另一种是增强型,晶体管需要门源电压来开启器件。
MOSFET的应用包括:;无线电控制应用(如船只、无人机或直升机)、控制路灯的自动强度、电机转矩速度控制、工业控制环境、机器人、与微控制器配对以建立控制灯光的系统等。
MOSFET适用于大功率、电流控制应用,甚至适用于模拟和数字电路。它的输出是通过控制栅极电压来控制的。它的温度系数为正。它们比BJT晶体管更有名。
BJT和MOSFET是两种不同的晶体管,BJT本身是一种晶体管,MOSFET是一种FET晶体管。这两种方法都适用于不同设备的不同领域。两者都是用来放大或切换电路中的电流。MOSFET由于其高的功率持久性而比BJT有更多的用途。更受业界推崇。
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