二极管是最简单的半导体元件，它有一个PN连接和两个端子。它是一个无源元件，因为电流是单向流动的。相反，齐纳二极管允许反向电流流动。

什么是p-n结二极管(p-n junction diode)？

在n型半导体中，电子是电荷的主要载流子，而在p型半导体中，主要载流子是空穴。当p型和n型半导体连接在一起时（实际上是通过比简单耦合复杂得多的工艺过程实现的），由于n型半导体中的电子浓度比p型半导体中的电子浓度大得多，因此存在电子和空穴的扩散，它的目的是使半导体结构中所有部分的浓度相等。因此，电子开始从浓度较高的地方移动到浓度较低的地方，即沿着n型到p型半导体的方向。

这同样适用于空穴，从p型半导体到n型半导体。在化合物的边界处，发生复合，即用电子填充空穴。因此，在化合物的边界附近，形成了一个层，其中电子和空穴被抛弃，现在部分为正，部分为负。

在电场周围，形成了正负电荷，形成了从正电荷到负电荷方向的电场。也就是说，建立了一个场，其方向与电子或空穴的进一步运动相反（受场影响的电子的方向与场的方向相反）。

当场强增加到足以阻止电子和空穴进一步运动时，扩散运动停止。据说在p-n结内形成了空间电荷区。这个区域的端点之间的电位差称为势垒。

在正常情况下（没有外场），连接点两侧的主要电荷载体无法通过。一个电场已经建立在​​空间荷载，在交叉口边界处最强。在室温下（在通常的添加剂浓度下），该势垒对硅的电位差约为0.2V，对锗二极管的电位差约为0.6V。

什么是齐纳二极管(zener diode)？

通过非渗透极化p-n连接，一个小的恒定饱和反向电流流动。然而，在实际二极管中，当不可穿透极化的电压超过一定值时，会发生电流突然泄漏，因此电流最终实际上会增加，而电压不会进一步增加。

突然出现电流泄漏的电压值称为击穿电压或齐纳电压。物理上有两个原因导致p-n势垒的击穿。在p型和n型半导体的高污染所产生的非常窄的势垒中，价电子可以被隧道穿过势垒。这一现象可以用电子的波动性来解释。

最早解释这种类型的崩溃称为齐纳崩溃。在较宽的势垒中，自由穿越势垒的少数载流子可以在高场强下获得足够的速度，以打破势垒内的价键。这样，就产生了额外的电子空穴对，这有助于电流的增加。

对于带宽极化区，齐纳二极管的电源电压特性与普通整流半导体二极管的特性没有区别。在不渗透极化领域，齐纳二极管的穿透力通常较低​​与普通半导体二极管的穿透电压相比，它们只在不透极化的情况下工作。

一旦p-n连接发生击穿，只有用外电阻才能将电流限制在某一允许值，否则二极管就会损坏。价值观​​在生产过程中，可以控制齐纳二极管击穿电压的大小。这使得产生击穿电压为几伏到几百伏的二极管成为可能。

击穿电压小于5V的二极管没有明显的击穿电压，并且具有负温度系数（温度升高会降低齐纳电压）。UZ>5V的二极管具有正温度系数（温度升高会增加齐纳电压）。齐纳二极管用作稳压器和电压限制器。

p-n结二极管与齐纳二极管的区别

1. P-N结二极管和齐纳二极管的定义

二极管是一种电子元件，允许电流在一个方向上无阻力流动（或阻力很小），而在相反方向上有无限大（或至少很高）的阻力。相反，齐纳二极管在达到齐纳电压时允许反向电流流动。

1. P-N结二极管和稳压二极管的结构

P-n结二极管由两个半导体层（P型阳极和n型阴极）组成。对于齐纳二极管，必须精确测定半导体中杂质的浓度（通常明显高于p-n二极管），以获得所需的击穿电压。

1. P-N结二极管和齐纳二极管的应用

第一种是用作整流器，波形整形器，开关，电压倍增器。齐纳二极管最常用作稳压器。

p-n结二极管与齐纳二极管

总结 - pn结二极管的研制(of pn junction diode) vs. 齐纳二极管(zener diode)

• P-n结二极管由两个（P和n）半导体层构成，允许电流只在一个方向上流动，因此用作整流器。
• 齐纳二极管是专门掺杂的，能够在两个方向传输电流。最常用作电压稳定器。