随着电的发现,我们的世界发生了变化,我们可以轻松地完成我们的任务,这给了我们更多的时间去思考和发明新事物。我们周围的许多电器和电子设备是在通电后的几个时期内产生的。同样地,二极管是电子设备中很小但非常重要的一部分,大多数人都不知道。二极管有很多种,如PN结二极管和齐纳二极管。
PN结二极管和齐纳二极管的区别在于PN结二极管的工作原理是一个简单的二极管,因为它只允许电子在一个方向流动,当电流通过相反的方向时,它会受到损坏,而齐纳二极管可以被描述为一个独特的二极管,允许电流在两个方向流动。
PN结二极管就像一个简单的二极管,只允许电子在一个方向流动。它通常是用硅或锗等半导体制成的。在该二极管中,使用合金化方法将半导体的P层连接到半导体的N层。用作整流器、电压倍增器等。
相比之下,齐纳二极管是一个二极管,允许在两个前进和后退方向的电流流动。它是用硅等半导体制成的。它有高掺杂结。齐纳二极管的击穿电压相对较低,称为齐纳电压。它通常用作电压稳定器。
比较参数 | pn结二极管 | 齐纳二极管 |
定义 | 它是一种只允许电流单向流动的二极管。 | 它是一种允许电流双向流动的二极管。 |
掺杂水平 | 它不是高掺杂,因为它只允许在正向击穿条件下的电流。 | 它是一个高掺杂二极管,因为它也用于反向偏置条件。 |
击穿电压 | 击穿电压相对较高。 | 击穿电压相对较低。 |
欧姆定律 | 它遵循欧姆定律。 | 它不遵守法律。 |
应用 | 用作电压整流器。 | 用作电压稳定器。 |
PN结二极管是一种只允许电流单向流动的二极管。当电流正向流动时,它不抵抗电流,但当电流反向流动时,它会增加电阻,阻止电流反向流动。
它是由硅和锗等半导体制成的。将半导体的P层置于N层半导体上制成PN结二极管。在第一层半导体中,空穴是主要载流子,而第二层半导体电子是主要载流子。
两层之间的连接不仅采用简单的耦合方法,而且工艺过程非常复杂。由于N层中有更多的电子,因此在连接之后,空穴和电子会扩散。电子从N层移动到P层,空穴从P层移动到N层,使两侧的浓度相等。
PN结二极管用图表表示。在这个图中,有一个箭头叫做阳极,上面有一个条形图叫做阴极。所有这些东西都用一条直线表示。它在电子设备中有各种用途和应用。它被用作整流器、电压倍增器、波形整形器等。
齐纳二极管是一种特殊类型的二极管,允许电子在两个方向流动。它有一个高掺杂的p和n结。当电压超过一定值时,它允许电流反向流动。这个特定值被称为击穿电压或齐纳电压。
齐纳效应是1934年美国物理学家克拉伦斯·齐纳在研究绝缘体特性中的电压击穿时发现的。因此这种齐纳效应以他的名字命名,而齐纳二极管就是利用齐纳效应工作的。它讲述了二极管的击穿电压,这是相对较低的二极管,称为齐纳电压。
它通常是由硅制成的,离子在二极管材料中的浓度更高。每当电流从这个二极管通过时,结之间的耗尽层减小,因此电场集中度增加。电压的增加导致电子的离子向耗尽区移动,使其导电。
它广泛应用于各种电子设备中,是电路的重要组成部分。它用于电压变化的地方,因为它可以为负载提供恒定的电压。因此,它被用于浪涌保护器和电压稳定器。
二极管是电子系统中一个小而重要的部分。它是在20世纪作为真空管发展起来的。从那时起,它就发展成为我们现在使用的东西。有不同类型的二极管用于不同的用途。PN结二极管和齐纳二极管是两种完全不同的二极管。
PN结二极管是一个正常的二极管,只允许在正向偏压条件下工作。它是由硅和锗等半导体组成的。它被用作电压整流器、开关等。相比之下,齐纳二极管是一种特殊的二极管,用于反向偏置条件。用作电压稳定器。
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