主要区别–肖特基与齐纳二极管

肖特基二极管和齐纳二极管是两种不同类型的二极管。肖特基二极管和齐纳二极管的主要区别在于肖特基二极管是由金属-半导体结构成的，而齐纳二极管是由两个高掺杂半导体的p-n结构成的。

什么是二极管(a diode)？

在电路中，二极管是只允许电流朝一个方向流动的元件。通常，二极管是通过将p型和n型半导体接触而构成的。在“齐纳击穿和雪崩击穿的区别”一文中讨论了这种结构如何使二极管在一个方向上传导电流。从本质上讲，如果我们画一张图，说明通过二极管的电流如何随着二极管上的电位差的变化而变化，我们会得到一张图，如下图所示：

Current-Voltage Characteristic for a Diode

什么是肖特基二极管(a schottky diode)？

肖特基二极管是一种特殊类型的二极管，用金属-半导体结代替其它二极管中的p-n结。因此，肖特基二极管在传导正向电流时的电压降（“接入电压”）比普通二极管小。这在下面所示的比较电流-电压特性的图表中很明显。注意，当正向电压较低时，反向电流较大，这是肖特基二极管的缺点之一：

The Schottky diodes (blue and green curves) conduct current at much lower forward voltages compared to normal diodes made of p-n交叉点。

当传导正向电流的二极管被快速地置于反向偏压下或被关断时，流过二极管的正向电流需要很短的时间才能消失。所用的时间称为反向恢复时间。与普通二极管相比，肖特基二极管的反向恢复时间小得多，适合用于快速开关电路。

肖特基二极管用于电压箝位应用，在电路效率需要最大化的情况下（因为它们之间的电位差很低，所以消耗的功率较小）。例如，它们被用于建造太阳能电池。肖特基二极管的电路符号如下所示：

Symbol of a Schottky Diode

什么是齐纳二极管(a zener diode)？

齐纳二极管和普通二极管一样使用p-n结。然而，齐纳二极管是重掺杂相比，正常二极管。因此，齐纳二极管可以经受击穿而不会损坏。与普通二极管相比，它们在较小的反向电压下也会发生击穿，即使它们传导较大的反向电流，它们也会保持这种反向电压。因此，齐纳二极管在电路中可用作电压调节器。

齐纳二极管的电压电流特性和电路符号如下所示：

Zener Diode Current-Voltage Characteristic

Zener Diode Symbol

肖特基(schottky)和齐纳二极管(zener diode)的区别

建设

肖特基二极管是由金属半导体结制成的

齐纳二极管由两个高掺杂半导体之间的p-n结构成。

反向击穿电压

对于肖特基二极管，击穿电压相当高。

对于齐纳二极管，击穿发生在一个相对较低的反向电压。

接入电压

肖特基二极管的接入电压比齐纳二极管的接入电压小。

对于齐纳二极管，接入电压相对较高。

反向恢复时间

肖特基二极管的反向恢复时间很短。

齐纳二极管的反向恢复时间相对较长。

Image Courtesy

“Current vs voltage for a semiconductor diode rectifier” by User:Hldsc(Own work) [CC BY-SA 4.0], via Wikimedia Comm***

Reiraum（自己的作品）[CC0 1.0]通过Wikimedia Comm***发布的“二极管IV曲线”

雪崩或齐纳二极管的伏安特性示意图(注：击穿电压超过约6V时，使用雪崩二极管代替齐纳二极管。），作者：Filip Dominec（自己的工作）[CC by-SA 3.0]，通过Wikimedia Comm***

齐纳二极管的电路图符号。在电路图中使用时，图形符号中不包括“阳极”和“阴极”字样(修订为符合ANSI Y32.2-1975和IEEE-Std.315-1975。）“Omegatron（自己的工作）[CC by-SA 3.0]，通过Wikimedia Comm***