MOSFET与BJT
晶体管是一种电子半导体器件，它能在小输入信号的微小变化下提供大幅度变化的电输出信号。由于这种特性，该器件可以用作放大器或开关。晶体管于20世纪50年代问世，从对晶体管的贡献来看，它是20世纪最重要的发明之一。它是一种快速发展的器件，已经引入了许多类型的晶体管。双极结晶体管（BJT）是第一种晶体管类型，而金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是后来引进的另一种晶体管类型。
双极结晶体管
BJT由两个PN结（p型半导体和n型半导体连接而成的结）组成。这两个结是通过按P-N-P或N-P-N的顺序连接三个半导体片而形成的，因此有两种类型的bjt被称为PNP和NPN。
三个电极连接在这三个半导体部件上，中间的引线称为“基极”。另外两个连接点是“发射器”和“收集器”。
在BJT中，大的集电极发射极（Ic）电流是由小的基极发射极电流（IB）控制的，利用这一特性设计放大器或开关。因此，可以认为它是一种电流驱动装置。BJT主要用于放大电路。
金属氧化物半导体场效应晶体管
MOSFET是场效应晶体管（FET）的一种，它由三个端子组成，分别被称为“栅极”、“源极”和“漏极”。这里，漏极电流由栅极电压控制。因此，mosfet是电压控制器件。
mosfet有四种不同的类型，如n沟道或p沟道，具有耗尽或增强模式。n沟道mosfet和p沟道器件的漏源和源均由n型半导体制成。栅极是由金属制成的，用金属氧化物和源极和漏极分开。这是MOSFET的一个优点，它的绝缘功耗很低。因此，MOSFET被用于数字CMOS逻辑中，其中p沟道和n沟道MOSFET被用作积木来最小化功耗。
尽管MOSFET的概念很早就被提出（1925年），但它实际上是在1959年在贝尔实验室实现的。
| BJT vs MOSFET1。BJT基本上是电流驱动器件，MOSFET被认为是电压控制器件。BJT的终端被称为发射极、集电极和基极，而MOSFET则由栅极、源极和漏极组成。在大多数新的应用中，mosfet比BJTs使用得多。与BJT5相比，MOSFET具有更复杂的结构。MOSFET在功耗方面比BJTs更有效，因此被用于CMOS逻辑。 |
