晶体管是一种小型半导体器件，可以放大或转换电信号和电力。晶体管是现代电子电路的基本组成部分。IGBT和MOSFET是两种三端晶体管，用于不同电压的器件中。让我们来看看这些晶体管是什么，它们有什么区别。

igbt(igbt) vs. mosfet(mosfet)

IGBT和MOSFET的区别在于IGBT的终端是发射极、集电极和栅极，而MOSFET是由源极、漏极和栅极终端组成的。MOSFET一次可以包含一个主体端子。不过，这两种装置都是由电压控制的。

IGBT是一种三端半导体开关器件，用于各种器件中放大或切换各种电信号。它的终端是集电极、发射极和栅极。“集电极”和“发射极”是输出端，“栅极”是输入端。它是一个理想的半导体开关器件，因为它是一个交叉的双极结晶体管（BJT）和MOSFET。

MOSFET是一种四端压控半导体器件，用于放大或开关电路信号。MOSFET是目前最常用的晶体管。它可以用p型或n型半导体制成。它的终端是源极、漏极、门极和主体。有时身体终端连接到源终端，从而使它成为一个三终端设备。

igbt与mosfet对比表

什么是igbt(igbt)？

绝缘栅双极晶体管（IGBT）是一种介于BJT和MOSFET之间的晶体管。它具有BJT的输出开关和传导特性，但它像MOSFET一样是电压控制的。由于它是电压控制的，它只需要少量的电压就可以维持通过器件的传导。

IGBT结合了称为晶体管的半导体器件的低饱和电压以及MOSFET的高阻抗和开关速度。该器件有能力处理大集电极-发射极电流与零栅极电流驱动。在它的三个端子中，集电极和发射极端子与电导通路相连，栅极端子与控制器件相连。

IGBT是高电压和大电流应用的理想选择。用于多种电子设备的高效率快速切换。igbt用于各种设备，如交流和直流电机驱动器、开关电源（SMPS）、逆变器、非稳压电源（UPS）、牵引电机控制和感应加热等。

使用IGBT的优点是它提供了更高的电压运行、更低的输入损耗和更大的功率增益。不过，它只能在“正向”方向上切换电流。它是一个单向装置。

什么是mosfet(mosfet)？

MOSFET或金属氧化物半导体场效应晶体管是一种用于放大或切换电子信号的半导体器件。它是一种四端器件，以源极、漏极、栅极和主体为终端。在某些情况下，主体端子和源端子连接，使端子计数减少到3。

电荷导体（电子或空穴）通过源极端子进入MOSFET，然后通过漏极端子退出。通道的宽度由门终端控制。栅极位于源极和漏极端子之间，并通过一薄层金属氧化物与沟道隔离。它也被称为绝缘栅场效应晶体管或IGFET由于栅端子被绝缘。

即使在低电压下工作，MOSFET也是高效的。它有一个高开关速度，几乎没有门电流的存在。它用于模拟和数字电路、MOS传感器、计算器、放大器和数字通信系统。

尽管mosfet不能在高电压下有效工作，因为它会在器件中产生不稳定性，而且由于它有一个金属氧化物层，所以它总是有通过静电变化而损坏的风险。

igbt与mosfet的主要区别

IGBT和MOSFET都是电压控制的，但一个主要的显著区别是IGBT是3端器件，MOSFET是4端器件。虽然它们非常相似，但它们在两个晶体管之间都有一些区别。

1. IGBT通过电子和空穴传导电荷，而MOSFET通过电子传导电荷。
2. igbt比mosfet具有更好的功率处理能力。
3. IGBT的额定电压比MOSFET高。
4. 由于mosfet有一层薄的金属氧化物层来分隔栅端，它们很容易受到静电放电的影响。另一方面，IGBT对高压的耐受性更强。
5. igbt优先用于窄负载变化，而mosfet优先用于宽负载变化。
6. IGBT优先用于低频、高温和低占空比应用，而MOSFET优先用于高频、低温和大占空比应用。

结论

IGBT和MOSFET正在迅速取代电路中使用的老式晶体管和其他机械设备。它们的高效率和高开关频率使得它们成为电路中不可缺少的一部分。由于两者都是电压控制的，所以在两者之间进行选择往往很困难。

尽管IGBT是MOSFET和BJT的交叉，但它并不是所有情况下的最佳答案。MOSFET在过去的几年里也得到了极大的改进，并且已经证明是一种更具活力的器件。然而，由于igbt在高电压下运行效率很高，mosfet在低电压下运行得非常好，所以选择通常取决于设备所需的输出。

参考文献

1. http://not2fast.com/electronics/theory_docs/choosewisely.pdf
2. https://ghioni.faculty.polimi.it/pel/readmat/gate-drive.pdf