当两层不同的晶体半导体以交替或不同的带隙连接或分层时,就会产生异质结。异质结主要用于固态电子器件,也可以在两个具有不同性质的半导体之间形成,例如一个是晶体,另一个是金属。当一个电子器件或器件应用的功能依赖于一个以上的异质结时,它们被放置在形成所谓异质结构的位置。这些异质结构用于增加太阳能电池和激光器等不同电气设备产生的能量。。
有三种不同类型的异质结。当半导体之间的这些界面形成时,它们可以形成所谓的跨接间隙、交错间隙或断裂间隙。这些不同类型的异质结取决于特定半导体材料产生的能隙。
材料能产生的能量与异质结产生的能隙大小直接相关。能源缺口的类型也很重要。这个能隙由一个半导体产生的价带和另一个半导体产生的导带之间的差异组成。
自从异质结科学成为整个行业的标准以来,异质结在每台生产的激光器中都是标准的。异质结允许生产能够在正常室温下工作的激光器。这门科学最早由赫伯特·克罗默(Herbert Kroemer)于1963年引入,但直到多年后,当实际的材料科学赶上了原理技术时,它才成为激光制造业的标准科学。
如今,异质结对每一种激光器都是至关重要的元素,从在数控机床上切割激光器到读取DVD电影和CD的激光器。异质结也用于在极高频率下工作的高速电子设备中。一个例子是高电子迁移率晶体管,它的大部分功能在500GHz以上运行。
如今,许多异质结的制造都是通过一种被称为CVD或化学气相沉积的精密工艺完成的。MBE代表分子束外延,是另一种用于制造异质结的工艺。这两种工艺在本质上都非常精确,而且成本非常昂贵,尤其是与半导体器件的硅制造工艺相比,硅制造在其他应用中仍然广泛流行。。
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