BJT与FET
BJT（双极结晶体管）和FET（场效应晶体管）都是两种类型的晶体管。晶体管是一种电子半导体器件，它能在小输入信号的微小变化下提供大幅度变化的电输出信号。由于这种特性，该器件可以用作放大器或开关。晶体管于20世纪50年代问世，它对晶体管的发展做出了巨大的贡献，被认为是20世纪最重要的发明之一。不同类型的晶体管结构已经过测试。
双极结晶体管
BJT由两个PN结（p型半导体和n型半导体连接而成的结）组成。这两个结是通过按P-N-P或N-P-N的顺序连接三个半导体片而形成的。
三个电极连接在这三个半导体部件上，中间的引线称为“基极”。另外两个连接点是“发射器”和“收集器”。
在BJT中，大的集电极发射极（Ic）电流是由小的基极发射极电流（IB）控制的，利用这一特性设计放大器或开关。在那里它可以被认为是一个电流驱动装置。BJT主要用于放大电路。
场效应晶体管
场效应晶体管由三个端子组成，分别称为“栅极”、“源极”和“漏极”。这里漏极电流由栅极电压控制。因此，fet是电压控制器件。
根据用于源极和漏极的半导体类型（在FET中，两者都由相同的半导体类型制成），FET可以是N沟道或P沟道器件。源极到漏极的电流是通过对栅极施加适当的电压来调节沟道宽度来控制的。还有两种控制通道宽度的方法，称为耗尽和增强。因此，fet可分为四种不同类型，如N沟道或P沟道，具有耗尽或增强模式。
FET有很多种类型，如MOSFET（金属氧化物半导体FET）、HEMT（高电子迁移率晶体管）和IGBT（绝缘栅双极晶体管）。CNTFET（Carbon Nanotube FET）是纳米技术发展的产物，是FET家族的最新成员。
| BJT和FET1的区别。BJT基本上是电流驱动器件，而FET被认为是电压控制器件。BJT的终端被称为发射极、集电极和基极，而FET则由栅极、源极和漏极组成。在大多数新的应用中，fet比BJTs使用得多。BJT同时使用电子和空穴进行传导，而FET只使用其中一个，因此被称为单极晶体管。fet比bjt更节能。 |
